收藏本站
R8008ANX
Fig.7 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
10
V DS =10V
pulsed
　
10
Data Sheet
Fig.8 Source Current vs. Source-Drain Voltage
V GS =0V
pulsed
1
0.1
1
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
0.01
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
0.1
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0
0.5
1
1.5
Drain Current : I D [A]
Fig.9 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
3
T a =25 ° C
pulsed
2
I D =8.0A
1
I D =4.0A
Source-Drain Voltage : V SD [V]
0
0
5
10
15
20
Gate-Source Voltage : V GS [V]
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/5
2011.10 - Rev.A
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
RCD040N25TL MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428
RCD080N25TL MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428
RCR-ML-010HT-3 MODULE RCVR REMOTE CTRL HOLTEK
RCX120N25 MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FM
RCX330N25 MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM
RD3965MMA7660FC ZSTAR3 ZIGBEE W/MMA7660FC
RDD020N60TL MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
RF266PC1 RF MODULE 2.4GHZ CHIP
相关代理商/技术参数
R800CHX 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DISTRIBUTED GATE THYRISTORS
R80186 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
R8018610 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
R80186-10 制造商:IC'S/TRANSISTORS/DIO 功能描述: 制造商:IC'S/TRANSISTORS/DIODES 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
R80186-10B 制造商:AMD 制造商全称:Advanced Micro Devices 功能描述:High Integration 16-Bit Microprocessor iAPX86 Family
R80186B 制造商:AMD 制造商全称:Advanced Micro Devices 功能描述:High Integration 16-Bit Microprocessor iAPX86 Family
R80188 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
R80188-10 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk